是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TFBGA, BGA84,9X15,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.69 | 访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 333 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B84 |
长度: | 12.5 mm | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 84 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 64MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA84,9X15,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.01 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.165 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4T1G164QF-BIE7T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QF-BIF7 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QF-BIF70 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T1G164QF-BPF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QG-BIF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T1G164QG-BPE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 | |
K4T1G164QG-BPE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 | |
K4T1G164QM-ZCCC | SAMSUNG |
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1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QM-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | |
K4T1G164QQ | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |