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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | TFBGA, BGA84,9X15,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 |
| 长度： | 12.5 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 64MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA84,9X15,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.165 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G164QF-BIE7T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4T1G164QF-BIF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4T1G164QF-BIF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T1G164QF-BPF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4T1G164QG-BIF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T1G164QG-BPE60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
|
| K4T1G164QG-BPE6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 |
|
| K4T1G164QM-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G164QM-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G164QQ | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification |
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