Datasheet > K4D551638F-LC400

K4D551638F-LC400

更新时间： 2024-01-02 18:06:33

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	206K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4D551638F-LC400 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.41 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4D551638F-LC400 数据手册

256M GDDR SDRAM

K4D551638F-TC

256Mbit GDDR SDRAM

Revision 2.1

April 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 2.1 (Apr. 2005)

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与K4D551638F-LC400相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D551638F-LC40T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638F-LC50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638F-LC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP
K4D551638F-LC60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638F-LC600	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
K4D551638F-TC	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638F-TC33	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638F-TC330	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638F-TC33T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638F-TC36	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM

与K4D551638F-LC400相关文章

解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

1
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-26

2
CR2032资料手册解读：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

1
CDSOT23-SM712参数分析、替代型号推荐
2024-06-26

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D551638F-LC400

K4D551638F-LC400 技术参数

K4D551638F-LC400 数据手册

与K4D551638F-LC400相关器件

与K4D551638F-LC400相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D551638F-LC400

K4D551638F-LC400 技术参数

K4D551638F-LC400 数据手册

与K4D551638F-LC400相关器件

与K4D551638F-LC400相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？