5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-78 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W8 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-78 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/496B | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 140 ns | 最大开启时间（吨）： | 50 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N5796 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N5796 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78, |
|
| JANTX2N5796AU | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
|
| JANTX2N5796U | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N5926 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-210AE |
|
| JANTX2N5927 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100A I(C) | TO-114 |
|
| JANTX2N6032 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N6033 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N6051 | MICREL |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N6052 | MICREL |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
