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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANSR2N7482T3
JANSR2N7482T3 PDF预览

JANSR2N7482T3

更新时间： 2024-11-18 04:45:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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JANSR2N7482T3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
其他特性：RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：117 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANSR2N7482T3 数据手册

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ꢁ
PD-93824E  
IRHY57Z30CM  
JANSR2N7482T3  
30V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
REF: MIL-PRF-19500/702  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
IRHY57Z30CM 100K Rads (Si) 0.03Ω  
IRHY53Z30CM 300K Rads (Si) 0.03Ω  
IRHY54Z30CM 500K Rads (Si) 0.03Ω  
ID  
QPL Part Number  
18A* JANSR2N7482T3  
18A* JANSF2N7482T3  
18A* JANSG2N7482T3  
IRHF58Z30CM 1000K Rads (Si) 0.035Ω 18A* JANSH2N7482T3  
TO-257AA  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
Features:  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of  
paralleling and temperature stability of electrical  
parameters.  
n Single Event Effect (SEE) Hardened  
n Ultra Low RDS(on)  
n Low Total Gate Charge  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Hermetically Sealed  
n Ceramic Package  
n Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
18*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
18*  
72  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
177  
18  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.7  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10 sec)  
4.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/25/06  
12345678

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与JANSR2N7482T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7483T3 INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 18A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 kra
JANSR2N7484T3 INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 18A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA package - TO-257AA, 100 kr
JANSR2N7485U3 INFINEON

获取价格

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