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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANSR2N7498T2
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JANSR2N7498T2

更新时间： 2024-11-17 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE ( TO-39)

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JANSR2N7498T2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
Is Samacsys：N其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.24 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSR2N7498T2 数据手册

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PD - 93857B  
IRHF57230SE  
JANSR2N7498T2  
200V, N CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE ( TO-39)  
REF:MIL-PRF-19500/706  
™
TECHNOLOGY  
R
5
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF57230SE 100K Rads (Si)  
0.24Ω 7.0A JANSR2N7498T2  
TO-39  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
Features:  
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination n Ultra Low RDS(on)  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power n Neutron Tolerant  
n
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain n Repetitive Avalanche Ratings  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
n
n
n
n
Dynamic dv/dt Ratings  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
7.0  
4.5  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max.Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-SourceVoltage  
28  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
25  
W
W/°C  
V
C
0.2  
V
±20  
130  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
AS  
I
7.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.2  
T
-55 to 150  
J
oC  
T
STG  
StorageTemperature Range  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in./1.6mm from case for 10s)  
0.98 (Typical)  
g
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
09/10/03  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7499T2 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)
JANSR2N7500U5 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-2)
JANSR2N7503U8 INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 6.9A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
JANSR2N7503U8C INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 6.9A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
JANSR2N7506U8 INFINEON

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 		Rad hard, -100V, -3.1A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package
JANSR2N7506U8C INFINEON

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 		Rad hard, -100V, -3.1A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package
JANSR2N7519T3 INFINEON

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 		Rad hard, -30V, -20A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-25
JANSR2N7519U3 INFINEON

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 		Rad hard, -30V, -22A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
JANSR2N7520T3 INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -20A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-25
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 		Rad hard, -60V, -22A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra

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