5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > JANSR2N7497T2
JANSR2N7497T2 PDF预览

JANSR2N7497T2

更新时间： 2024-11-05 03:13:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 182K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANSR2N7497T2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：130 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.5 A最大漏极电流 (ID)：10.5 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSR2N7497T2 数据手册

 浏览型号JANSR2N7497T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANSR2N7497T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANSR2N7497T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANSR2N7497T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANSR2N7497T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANSR2N7497T2的Datasheet PDF文件第7页 
                                                                            
ꢁ
PD - 94334B  
IRHF57133SE  
JANSR2N7497T2  
130V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/706  
TECHNOLOGY  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
5
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF57133SE 100K Rads (Si)  
0.1Ω 10.5A JANSR2N7497T2  
TO-39  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space  
applications. These devices have been characterized  
for Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the  
power losses in switching applications such as DC  
to DC converters and motor control. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of  
electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Ratings  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
10.5  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
6.5  
42  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
25  
W
W/°C  
V
D
C
0.2  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
164  
mJ  
A
AS  
I
10.5  
2.5  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
8.0  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in./1.6mm from case for 10s)  
0.98 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
06/16/04  
12345678

中文翻译

下载PDF

与JANSR2N7497T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7498T2 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE ( TO-39)
JANSR2N7499T2 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)
JANSR2N7500U5 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-2)
JANSR2N7503U8 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 100V, 6.9A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
JANSR2N7503U8C INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 100V, 6.9A, single, N-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
JANSR2N7506U8 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -3.1A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package
JANSR2N7506U8C INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -3.1A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.2 package
JANSR2N7519T3 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -30V, -20A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-25
JANSR2N7519U3 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -30V, -22A, single, P-channel MOSFET, R5 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
JANSR2N7520T3 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -60V, -20A, single, P-channel MOSFET, R5 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-25

与JANSR2N7497T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证