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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.5 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 140 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/357 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 650 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N3635UB/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| JANS2N3636 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JANS2N3636L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JANS2N3636UB | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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| JANS2N3637 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JANS2N3637/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD |
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| JANS2N3637L | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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| JANS2N3637UB/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| JANS2N3700 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JANS2N3700S | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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