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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.15 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 175 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/357 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 650 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3637 | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N3637UB/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| JANS2N3700 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N3700S | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N3700UB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) |
|
| JANS2N3700UB/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| JANS2N3700UBG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高可靠性NPN双极性晶体管80 V、1 A |
|
| JANS2N3700UBT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
高可靠性NPN双极性晶体管80 V、1 A |
|
| JANS2N3735 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-5 |
|
| JANS2N3735L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-5VAR |
|
| JANS2N3737 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-46 |
|
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