JANS2N3637

更新时间： 2024-09-22 22:55:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

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JANS2N3637 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.46
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	175 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/357
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	650 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

JANS2N3637 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 357

Devices

Qualified Level

JAN

2N3634

2N3635

2N3636

2N3637

JANTX

2N3634L

2N3635L

2N3636L

2N3637L

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N3634* 2N3636*

2N3635* 2N3637*

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

140

175

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO-39* (TO-205AD)

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

140

175

5.0

1.0

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

1.0

5.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

TO-5*

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

140

175

Vdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 140 Vdc

hAdc

mAdc

I_CBO

100

2N3634, 2N3635

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 100 Vdc

I_CEO

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANS2N3637 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N3637	MICROSEMI	完全替代	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
2N3637L	MICROSEMI	类似代替	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

与JANS2N3637相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N3637/TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD
JANS2N3637L	MICROSEMI	获取价格	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JANS2N3637UB/TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
JANS2N3700	MICROSEMI	获取价格	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JANS2N3700S	MICROSEMI	获取价格	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JANS2N3700UB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C)
JANS2N3700UB/TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
JANS2N3700UBG	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性NPN双极性晶体管80 V、1 A
JANS2N3700UBT	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性NPN双极性晶体管80 V、1 A
JANS2N3735	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-5

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