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JAN1N5711-1

更新时间: 2024-11-15 12:03:07
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
7页 459K
描述
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444

JAN1N5711-1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:1.82
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.033 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/444
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JAN1N5711-1 数据手册

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JAN1N5711-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N5711-1 MICROSEMI

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Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444
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BAR28 STMICROELECTRONICS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5711-1E3 MICROSEMI

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Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444
JAN1N5711UBCA MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
JAN1N5711UBCC MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
JAN1N5711UBD MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
JAN1N5711UR-1 MICROSEMI

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SCHOTTKY BARRIER DIODES
JAN1N5712-1 MICROSEMI

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Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444
JAN1N5712-1 CDI-DIODE

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SCHOTTKY BARRIER DIODES
JAN1N5712-1E3 MICROSEMI

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Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444
JAN1N5712UB MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
JAN1N5712UBCC MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3