是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MELF |
包装说明: | MELF-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.2 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | ULTRA FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.875 V | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 35 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 2.5 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压: | 50 V |
最大反向恢复时间: | 0.025 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5802X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, | |
JAN1N5803 | MICROSEMI |
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MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP | |
JAN1N5803US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP | |
JAN1N5804 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP | |
JAN1N5804 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. | |
JAN1N5804R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, | |
JAN1N5804URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 | |
JAN1N5804US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP | |
JAN1N5804US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. | |
JAN1N5804X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |