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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.075 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/444H | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5712-1 | MICROSEMI |
完全替代  |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| JANTXV1N5712UR-1 | MICROSEMI |
完全替代 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JANTX1N5712-1 | MICROSEMI |
类似代替 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5712-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
|
| JAN1N5712UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
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| JAN1N5712UBCC | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JAN1N5712UBD | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JAN1N5712UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| JAN1N5772 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 16 Element, 0.3A, Silicon, TO-85, CERAMIC, FP-10 |
|
| JAN1N5774 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, TO-86, CERAMIC, FP-14 |
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| JAN1N5802 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
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| JAN1N5802R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N5802URS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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