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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.1 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 35 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 2.5 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5806R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| JAN1N5806URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JAN1N5806US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JAN1N5806US | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC AXIAL / MELF LEAD RECTIFIER |
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| JAN1N5807 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JAN1N5807 | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS |
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| JAN1N5807CB | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN1N5807R | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JAN1N5807US | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS |
|
| JAN1N5808 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
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