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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | MELF-B, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V | JESD-30 代码： | E-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 6 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5811X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JAN1N5812 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5812 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5812R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5812R | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5814 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5814 | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 100 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5814R | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 100 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5815R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, |
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| JAN1N5816 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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