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JAN1N5819-1

更新时间： 2024-11-15 03:10:27
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER

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JAN1N5819-1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-41包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.02Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JAN1N5819-1 数据手册

 浏览型号JAN1N5819-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JAN1N5819-1的Datasheet PDF文件第3页 
1N5819-1  
1N5819UR-1  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 193, REV. B  
HERMETIC AXIAL LEAD / MELF  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
DESCRIPTION: A 45 VOLT, 1.0 AMP, AXIAL LEAD/SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE.  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
‘
’
Peak Inverse Voltage  
(PIV)  
-
-
45  
Vdc  
Average DC Output  
Current (Io)  
-
-
-
-
1.0  
25  
Amps  
Peak Single Cycle Surge  
tp = 8.3 ms Single  
Half Cycle Sine  
Wave,  
Amps(pk)  
Current (Ifsm  
)
Superimposed On  
Rated Load  
Junction to Lead  
d = 0.375”  
-
-
70  
Thermal Resistance ( JL  
)
•C/W  
Junction to Endcap  
-
-
-
-
40  
Thermal Resistance (qJEC  
)
•C/W  
•C  
Junction Temperature (TJ)  
-
-
-55  
-55  
+125  
+125  
Operating Temperature  
(Top)  
•C  
Storage Temp. (Tstg)  
-
-55  
-
+150  
•C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
CHARACTERISTIC  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Maximum Forward  
Voltage (Vf)  
-
-
0.49  
Volts  
IF = 1.0A (300 msec  
pulse, duty cycle <  
2%)  
Maximum Instantaneous  
Reverse Current At Rated  
(PIV)  
-
-
-
-
0.05  
4.0  
TA = 25• C  
TA = 100• C  
mAmps  
mAmps  
Junction Capacitance (CJ) VR = 5 Vdc  
0.01 ˆ f ˆ 1MHz  
Vsig = 15 mV p-p  
pF  
70  
Notes: - All ratings are at TA = 25 C unless otherwise specified.  
- Maximum storage temperature range: -55 C to +150 C.  
- Maximum operating temperature range: -55 C to +125 C (1N5819-1, 1N5819UR-1).  
Derate linearly at 4.5 V/ C above T or T  
= +100 C (1N5819-1), where T  
is at L = .375 inch.  
L
EC  
EC  
EC  
Derate linearly at 14 mA/ C above T or T  
= +55 C (1N5819-1), where T  
is at L = .375 inch.  
L
EC  
œ 221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 œ  
œ World Wide Web - www.sensitron.com œ E-mail Address - sales@sensitron.com œ  
123

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与JAN1N5819-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5819UR-1 CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JAN1N5819UR-1 SENSITRON

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 		HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER
JAN1N5819UR-1 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JAN1N5822 MICROSEMI

获取价格

 		3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
JAN1N5822US CDI-DIODE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
JAN1N5907 MICROSEMI

获取价格

 		1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
JAN1N5907 SENSITRON

获取价格

 		1500 W Transient Voltage Suppressor
JAN1N5907TR MICROSEMI

获取价格

 		1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
JAN1N5908 MICROSEMI

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 		1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
JAN1N5908TR MICROSEMI

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