是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.28 | 应用: | ULTRA FAST RECOVERY |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.95 V | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 400 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 20 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/478 | 最大重复峰值反向电压: | 150 V |
最大反向电流: | 10 µA | 最大反向恢复时间: | 0.035 µs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5816R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
JAN1N5819-1 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER | |
JAN1N5819-1 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JAN1N5819UR-1 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JAN1N5819UR-1 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER | |
JAN1N5819UR-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
JAN1N5822 | MICROSEMI |
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3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS | |
JAN1N5822US | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, | |
JAN1N5907 | MICROSEMI |
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1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
JAN1N5907 | SENSITRON |
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1500 W Transient Voltage Suppressor |