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JAN1N5816R PDF预览

JAN1N5816R

更新时间： 2024-09-23 15:35:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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JAN1N5816R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-4
包装说明：DO-4, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.31应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/478最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JAN1N5816R 数据手册

  
TECHNICAL DATA  
FAST RECOVERY POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 478  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
1N5812  
1N5812R  
1N5814  
1N5814R  
1N5815  
1N5815R  
1N5816  
1N5816R  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
1N5812 1N5814 1N5816  
1N5812R 1N5814R 1N5816R  
Symbol  
Unit  
Reverse Voltage  
50  
100  
100  
20  
150  
Vdc  
Vpk  
Adc  
VR  
VRWM  
IO  
Working Peak Reverse Voltage  
50  
150  
Average Forward Current  
Forward Current Surge Peak TC = +1000C  
tp = 8.3 ms  
TC = +1000C (1)  
400  
Adc  
IFSM  
Reverse Recovery Time  
35  
hs  
0C  
trr  
TJ, T  
Operating & Storage Junction Temperature  
-65 to +175  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
DO-203AA  
(DO-4)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1) Derate linearly 250 mA/0C from +1000C to +1500C, & 300 mA/0C above +1500C  
1.5  
R
qJC  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Zq  
Min.  
Max.  
Unit  
Thermal Impedance  
0C/W  
JX  
IH ³ rated IO; tH £ 250ms; 10 mA £ IM £ 100 mA; tMD = 250 ms (max)  
1.35  
Forward Voltage  
tp £ 8.3 ms, duty cycle £ 2.0% pulsed  
IF = 10 A (pk)  
IF = 20 A (pk)  
VF1  
VF2  
Vdc  
Vpk  
0.860  
0.950  
Reverse Current  
VR = Rated VR (See 1.3 of MIL-PRF-19500/478)  
Breakdown Voltage  
IR  
mAdc  
10  
IR = 100 mAdc  
IR = 100 mAdc  
IR = 100 mAdc  
1N5812, R  
1N5814, R  
1N5816, R  
60  
110  
160  
V(BR)  
Vdc  
Junction Capacitance  
VR = 10 Vdc, VSIG = 50 mVdc (p-p) max, f = 1.0 MHz  
Forward Recovery Voltage  
CJ  
VFR  
trr  
pF  
V(pk)  
hs  
300  
tp ³ 20 hs, tr = 8.0 hs; IF = 1,000 mA  
2.2  
15  
Forward Recovery Time  
IF = 1,000 mA  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
Page 1 of 1  
1

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JAN1N5816R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
30CTQ045 DIOTEC

功能相似

 High Temperature Schottky Rectifier . Common Cathode
MBR2045CT GOOD-ARK

功能相似

 Dual Schottky Barrier Rectifiers

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5819-1 SENSITRON

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JAN1N5819-1 CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
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JAN1N5819UR-1 SENSITRON

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 		3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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JAN1N5907 MICROSEMI

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 		1500 WATT LOW VOLTAGE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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 		1500 W Transient Voltage Suppressor
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