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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.32 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.95 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 400 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/478 |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.035 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5812R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5812R | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5814 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5814 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5814R | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5815R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, |
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| JAN1N5816 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5816 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 150 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5816R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5819-1 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
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