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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.95 V | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 20 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/478G | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向电流： | 10 µA | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5814 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5814 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5814R | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5815R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, |
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| JAN1N5816 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5816 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 150 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5816R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5819-1 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
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| JAN1N5819-1 | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| JAN1N5819UR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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