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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 125 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压： | 150 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5811CB | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, |
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| JAN1N5811CBUS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5 |
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| JAN1N5811R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JAN1N5811US | SENSITRON |
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HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS |
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| JAN1N5811X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JAN1N5812 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5812 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5812R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, DO-4, 1 PIN |
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| JAN1N5812R | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. |
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| JAN1N5814 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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