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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.7 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 6 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5810 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JAN1N5810US | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| JAN1N5811 | SENSITRON |
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HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS |
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| JAN1N5811 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECTIFIERS |
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| JAN1N5811CB | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, |
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| JAN1N5811CBUS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5 |
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| JAN1N5811R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JAN1N5811US | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS |
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| JAN1N5811X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
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| JAN1N5812 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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