是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.16 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED |
应用: | ULTRA FAST RECOVERY POWER | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.875 V |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 125 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 6 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500 | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向恢复时间: | 0.03 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANS1N5809 | MICROSEMI |
完全替代 |
ULTRA FAST RECTIFIERS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N5809CB | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN | |
JAN1N5809CBUS | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
JAN1N5809R | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
JAN1N5809US | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS | |
JAN1N5809X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, | |
JAN1N5810 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS | |
JAN1N5810US | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 | |
JAN1N5811 | SENSITRON |
获取价格 |
HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS | |
JAN1N5811 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECTIFIERS | |
JAN1N5811CB | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, |