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JAN1N5809

更新时间: 2024-11-14 23:01:23
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管快速恢复二极管
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2页 63K
描述
ULTRA FAST RECTIFIERS

JAN1N5809 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.16
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
应用:ULTRA FAST RECOVERY POWER外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.875 V
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:125 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.03 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JAN1N5809 数据手册

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JAN1N5809 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANS1N5809 MICROSEMI

完全替代

ULTRA FAST RECTIFIERS

与JAN1N5809相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5809CB MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN
JAN1N5809CBUS MICROSEMI

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暂无描述
JAN1N5809R MICROSEMI

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暂无描述
JAN1N5809US SENSITRON

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HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS
JAN1N5809X MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon,
JAN1N5810 MICROSEMI

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ULTRA FAST RECTIFIERS
JAN1N5810US MICROSEMI

获取价格

暂无描述
JAN1N5811 SENSITRON

获取价格

HIGH EFFICIENTCY AXIAL LEAD RECTIFIERS
JAN1N5811 MICROSEMI

获取价格

ULTRA FAST RECTIFIERS
JAN1N5811CB MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, E,