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JAN1N5712-1E3

更新时间: 2024-09-23 12:03:07
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美高森美 - MICROSEMI 肖特基二极管
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7页 459K
描述
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444

JAN1N5712-1E3 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5712UB MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
JAN1N5712UBCC MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
JAN1N5712UBD MICROSEMI

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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3
JAN1N5712UR-1 MICROSEMI

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SCHOTTKY BARRIER DIODES
JAN1N5772 MICROSEMI

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JAN1N5774 MICROSEMI

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JAN1N5802 MICROSEMI

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JAN1N5802 SENSITRON

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DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE.
JAN1N5802R MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon,
JAN1N5802URS MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2