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| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5802US | MICROSEMI |
完全替代  |
MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
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| 1N5802US | EIC |
功能相似 |
Fast / Super Fast Recovery Rectifiers |
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| JANTX1N5802 | MICROSEMI |
功能相似 |
RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5802R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N5802URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JAN1N5802US | MICROSEMI |
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MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
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| JAN1N5802US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JAN1N5802X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N5803 | MICROSEMI |
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MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
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| JAN1N5803US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JAN1N5804 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JAN1N5804 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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| JAN1N5804R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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