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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5803 | MICROSEMI |
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MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
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| JAN1N5803US | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JAN1N5804 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JAN1N5804 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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| JAN1N5804R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| JAN1N5804URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JAN1N5804US | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| JAN1N5804US | SENSITRON |
获取价格 |
DESCRIPTION: 100 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JAN1N5804X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| JAN1N5805 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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