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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.52 | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最大输出电流： | 0.075 A | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/444 | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5712UR-1 | MICROSEMI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODES |
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| JAN1N5772 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 16 Element, 0.3A, Silicon, TO-85, CERAMIC, FP-10 |
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| JAN1N5774 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, TO-86, CERAMIC, FP-14 |
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| JAN1N5802 | MICROSEMI |
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MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
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| JAN1N5802 | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE. |
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| JAN1N5802R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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| JAN1N5802URS | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2 |
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| JAN1N5802US | MICROSEMI |
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MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP |
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| JAN1N5802US | SENSITRON |
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DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE. |
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| JAN1N5802X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |
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