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JAN1N5774

更新时间： 2024-11-15 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 510K
描述
Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, TO-86, CERAMIC, FP-14

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JAN1N5774 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-CDFP-F14
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.44
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：COMPLEX
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-86JESD-30 代码：R-CDFP-F14
JESD-609代码：e0元件数量：8
端子数量：14最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.4 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/474最大反向恢复时间：0.02 µs
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JAN1N5774 数据手册

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SG5768, SG5770, SG5772, SG5774  
SG6506/SG6507/SG6508/SG6509  
DIODE ARRAY CIRCUITS  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The Linfinity series of diode arrays feature high breakdown, high speed  
diodes in a variety of configurations.  
• 60V minimum breakdown voltage  
• 500mA current capability per diode  
• Fast switching speeds: typically less than  
10ns  
Each array configuration consists of either common anode diodes,  
common cathode diodes, or a combination of common anode and  
common cathode diodes.  
• Low leakage current  
HIGH RELIABILITY FEATURES  
Individual diodes within the array have 60V minimum breakdown  
voltage, can handle 500mA of current and typically switch in less than  
10 nanoseconds.  
♦ MIL-S-19500/474 QPL - 1N5768 - 1N6506  
- 1N5770 - 1N6507  
- 1N5772 - 1N6508  
Each of the array configurations is available in ceramic DIP or ceramic  
flatpack and can be processed to JANTXV, JANTX, or JAN flows at  
Linfinity’s MIL-S-19500 facility.  
- 1N5774 - 1N6509  
♦ JANTXV, JANTX & JAN available  
♦ LMI level "S" processing available  
CIRCUIT DIAGRAMS  
COMMON CATHODE  
SG5768/SG6506  
COMMON ANODE  
SG5770/SG6507  
COMMON ANODE / COMMON CATHODE  
SG5772/SG6508  
DUAL COMMON ANODE / COMMON CATHODE  
SG5774/SG6509  
6/90 Rev 1.1 2/94  
LINFINITY Microelectronics Inc.  
Copyright 1994  
11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841  
1
(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570  
12345

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JAN1N5774 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N5774 MICROSEMI

功能相似

 Rectifier Diode, 16 Element, 0.3A, 60V V(RRM), Silicon, TO-86, CERAMIC, FP-14
1N5774 MICROSEMI

功能相似

 MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

与JAN1N5774相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5802 MICROSEMI

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 		MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP
JAN1N5802 SENSITRON

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 		DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A 106 PACKAGE.
JAN1N5802R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, Silicon,
JAN1N5802URS MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2
JAN1N5802US MICROSEMI

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 		MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP
JAN1N5802US SENSITRON

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 		DESCRIPTION: 50 VOLT, AMP, 25 NS HERMETIC RECTIFIER IN A MELF-A PACKAGE.
JAN1N5802X MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, Silicon,
JAN1N5803 MICROSEMI

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 		MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP
JAN1N5803US MICROSEMI

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 		RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP
JAN1N5804 MICROSEMI

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 		RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP

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