1N5774

更新时间： 2024-11-14 22:37:39

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管测试
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1页	27K
描述
MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

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1N5774 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-CQFP-F14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW CAPACITANCE
最小击穿电压：	60 V	配置：	COMPLEX
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	TO-86
JESD-30 代码：	R-CQFP-F14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	14	端子数量：	14
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.02 µs
反向测试电压：	40 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5774 数据手册

1N5774

A Microsemi Company

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

Phone: 617-924-9280

Fax: 617-924-1235

DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION

MONOLITHIC AIR ISOLATED

DIODE ARRAY

FEATURES:

· HERMETIC CERAMIC PACKAGE

· Bv > 60V at 10uA

· Ir < 100nA at 40V

· C < 8.0 pF

Absolute Maximum Ratings:

Symbol

Parameter

Limit

Unit

.280

MAX

.019

.010

.004

MIN

.006

.003

VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage

Vdc

*1 * 3 Continuous Forward Current

300

500

400

500

mAdc

.370

.250

IFSM

PT1

PT2

Top

Tstg

Peak Surge Current (tp= 1/120 s)

Power Dissipation per Junction @ 25°C

Power Dissipation per Package @ 25°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-65 to +150 °C

-65 to +200 °C

.260

.240

.280

MAX

NOTE 1: Each Diode

NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%

NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C

NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C

.370

.250

.005

MIN

.050

BSC

.095

.030

Electrical Characteristics (Per Diode) @

25°C unless otherwise specified

PACKAGE OUTLINE

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max Unit

Vf1

Vf2

IR1

tfr

trr

Forward Voltage

Reverse Current

Capacitance (pin to pin)

Forward Recovery Time

If = 100mAdc *1

If = 500mAdc *1

VR = 40 Vdc

VR = 0 Vdc; f = 1 MHz

If = 500mAdc

Vdc

1.5 Vdc

0.1 uAdc

8.0 pF

Reverse Recovery Time If = IR = 200mAdc, irr = 20mAdc, RL = 100 ohms

NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge

Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other

information at any time without prior notice.

MSC1014.PDF Rev - 11/25/98

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1N5774 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV1N5774	MICROSEMI	功能相似	Rectifier Diode, 16 Element, 0.3A, 60V V(RRM), Silicon, TO-86, CERAMIC, FP-14
JAN1N5774	MICROSEMI	功能相似	Rectifier Diode, 8 Element, 0.3A, Silicon, TO-86, CERAMIC, FP-14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5774_1	MICROSEMI	获取价格	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
1N5774S	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
1N5774TX	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode
1N5774TXV	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode
1N5775	TI	获取价格	16 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
1N5796	MICROSEMI	获取价格	GENERAL PURPOSE SILICON DIODES
1N58	NJSEMI	获取价格	GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N58010	NJSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP
1N58011	NJSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP
1N58012	NJSEMI	获取价格	HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP

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