5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.53 | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | JESD-609代码： | e4 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最大输出电流： | 0.033 A | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/444 | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N5711UBCC | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JAN1N5711UBD | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.033A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JAN1N5711UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| JAN1N5712-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
|
| JAN1N5712-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
| JAN1N5712-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode Qualified per MIL-PRF-19500/444 |
|
| JAN1N5712UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JAN1N5712UBCC | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JAN1N5712UBD | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.075A, Silicon, LEADLESS, CERAMIC PACKAGE-3 |
|
| JAN1N5712UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODES |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
