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IXYP20N65C3D1M

更新时间: 2023-12-06 20:13:14
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力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 279K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产,具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

IXYP20N65C3D1M 数据手册

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IXYP20N65C3D1M  
Fig. 8. Gate Charge  
Fig. 7. Transconductance  
16  
14  
12  
10  
8
16  
14  
12  
10  
8
T
J
= - 40oC  
VCE = 325V  
IC = 20A  
V
= 10V  
CE  
25oC  
IG = 10mA  
150oC  
6
6
4
4
2
2
0
0
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
IC - Amperes  
QG - NanoCoulombs  
Fig. 9. Capacitance  
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area  
10,000  
1,000  
100  
= 1 MHz  
f
40  
30  
20  
10  
0
C
C
ies  
oes  
T
J
= 150oC  
R
G
= 20  
dv / dt < 10V / ns  
C
res  
10  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
VCE - Volts  
VCE - Volts  
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area  
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance  
1000  
100  
10  
10  
V
Limit  
CE(sat)  
1
25μs  
100μs  
1ms  
1
10ms  
0.1  
100ms  
1s  
T
= 175oC  
= 25oC  
J
0.1  
DC  
T
C
Single Pulse  
0.01  
0.01  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
1000  
VDS - Volts  
Pulse Width - Seconds  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  

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