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IXYN82N120C3

更新时间： 2024-11-05 21:22:39

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力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	204K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYN82N120C3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Base Number Matches：	1

IXYN82N120C3 数据手册

Preliminary Technical Information

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 66A

V_CE(sat) 3.20V

t_fi(typ)= 93ns

IXYN82N120C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E 

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

120

E 

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

380

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 164



either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

(RBSOA)

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Features

-55 ... +175



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

2500V~ Isolation Voltage

Positive Thermal Coefficient of



V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Vce(sat)

High Current Handling Capability

International Standard Package



Weight

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines



4.5



25 A

500 A



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



Lamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.76

3.20

DS100389B(1/19)

12 3 4 5 6 7

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IXYN82N120C3H1	IXYS	获取价格	High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
IXYN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1M	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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