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IXYN82N120C3

更新时间： 2024-11-18 21:22:39

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力特 - LITTELFUSE		栅
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7页	204K
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IXYN82N120C3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Base Number Matches：	1

IXYN82N120C3 数据手册

Preliminary Technical Information

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 1200V

I_C110= 66A

V_CE(sat) 3.20V

t_fi(typ)= 93ns

IXYN82N120C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E 

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1200

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

120

E 

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

380

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

I_CM= 164



either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

(RBSOA)

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Features

-55 ... +175



Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

2500V~ Isolation Voltage

Positive Thermal Coefficient of



V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Vce(sat)

High Current Handling Capability

International Standard Package



Weight

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines



4.5



25 A

500 A



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



Lamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.76

3.20

DS100389B(1/19)

12 3 4 5 6 7

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IXYN82N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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