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IXYH16N170CV1

更新时间: 2024-02-21 15:53:54
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力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
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8页 248K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加

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IXYH16N170CV1  
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
V
= 15V  
GE  
V
= 15V  
GE  
13V  
12V  
11V  
10V  
9V  
8V  
14V  
13V  
12V  
11V  
10V  
9V  
7V  
6V  
8V  
4
7V  
6V  
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
5
5.5  
6
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
VCE - Volts  
VCE - Volts  
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on  
Junction Temperature  
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 150ºC  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
V
= 15V  
GE  
V
= 15V  
GE  
13V  
12V  
11V  
10V  
9V  
8V  
I
= 32A  
C
I
= 16A  
C
7V  
6V  
5V  
4
I = 8A  
C
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VCE - Volts  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage vs.  
Gate-to-Emitter Voltage  
Fig. 6. Input Admittance  
50  
40  
30  
20  
10  
0
8.0  
7.0  
6.0  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
T
J
= 25ºC  
I
= 32A  
C
16A  
8A  
T
J
= 150ºC  
25ºC  
- 40ºC  
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
VGE - Volts  
VGE - Volts  
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