5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXYH10N170CV1
IXYH10N170CV1 PDF预览

IXYH10N170CV1

更新时间： 2024-02-23 09:10:52
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 244K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXYH10N170CV1 数据手册

 浏览型号IXYH10N170CV1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXYH10N170CV1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXYH10N170CV1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXYH10N170CV1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXYH10N170CV1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IXYH10N170CV1的Datasheet PDF文件第8页 
IXYH10N170CV1  
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Collector Current  
Fig. 12. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Gate Resistance  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
E
E
E
E
off  
= 10  
on  
off  
on  
T = 150oC , V = 15V  
R
V
GE  
= 15V  
Ω  
G
J
GE  
T = 150oC  
J
V
= 850V  
V
= 850V  
CE  
CE  
I
= 20A  
C
T = 25oC  
J
I
= 10A  
C
10  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
10  
25  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
RG - Ohms  
IC - Amperes  
Fig. 15. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Junction Temperature  
130  
120  
110  
100  
90  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
6
E
E
t f i  
td(off)  
off  
= 10  
on  
T = 150oC, V = 15V  
5
4
3
2
1
0
R
V
GE = 15V  
Ω  
G
J
GE  
VCE = 850V  
V
= 850V  
CE  
I
= 20A  
C
I
= 20A  
C
I
= 10A  
C
IC = 10A  
80  
70  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
50  
75  
100  
125  
150  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Collector Current  
140  
120  
100  
80  
200  
160  
140  
120  
100  
80  
220  
t f i  
td(off)  
t f i  
td(off)  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
R
G
= 10 , V = 15V  
Ω  
GE  
R
G
= 10 , V = 15V  
Ω  
GE  
V
= 850V  
CE  
V
= 850V  
CE  
T = 150oC  
J
I
= 10A  
C
60  
60  
T = 25oC  
J
40  
I
= 20A  
C
40  
20  
20  
0
60  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
24  
26  
28  
30  
TJ - Degrees Centigrade  
IC - Amperes  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IXYH10N170CV1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH120N65B3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH120N65C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH12N250CHV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH12N250CV1HV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N170C LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N170CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH16N250CV1HV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH20N120C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N120C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH20N65B3 IXYS

获取价格

 		Advance Technical Information

与IXYH10N170CV1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证