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IXTQ44N50P

更新时间: 2024-04-09 18:40:52
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 147K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS

IXTQ44N50P 数据手册

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IXTQ44N50P  
Fig. 8. Transconductance  
Fig. 7. Input Admittance  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
T
J
= - 40ºC  
25ºC  
125ºC  
T
J
= 125ºC  
25ºC  
- 40ºC  
3.5  
4
4.5  
5
5.5  
6
6.5  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
VGS - Volts  
ID - Amperes  
Fig. 9. Forward Voltage Drop of  
Intrinsic Diode  
Fig. 10. Gate Charge  
10  
140  
120  
100  
80  
V
= 250V  
DS  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I
I
= 22A  
D
G
= 10mA  
T
J
= 125ºC  
60  
T
J
= 25ºC  
40  
20  
0
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1
1.1  
1.2  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
VSD - Volts  
QG - NanoCoulombs  
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area  
Fig. 11. Capacitance  
1,000  
100  
10  
10,000  
1,000  
100  
T = 150ºC  
J
T
C
= 25ºC  
C
iss  
R
DS(on)  
Limit  
25µs  
C
oss  
100µs  
1ms  
DC  
10ms  
C
rss  
f = 1 MHz  
5
1
10  
10  
100  
1000  
0
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
VDS - Volts  
VDS - Volts  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  

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