Datasheet > IXTQ44N50P

IXTQ44N50P

更新时间： 2024-04-09 18:40:52

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	147K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ44N50P 数据手册

IXTQ44N50P

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

TO-3P Outline

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

g_fs

V_DS= 20V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

C_iss

C_oss

C_rss

5440

639

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 3 (External)

Q_g(on)

Q_gs

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

R_thJC

R_thCS

0.19 C/W

0.25C/W

Source-Drain Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

I_S

V_GS= 0V

I_SM

V_SD

t_rr

Repetitive, Pulse Width Limited by T_JM

110

1.5

I_F= I_S, V_GS= 0V, Note 1

I_F= 22A, -di/dt = 100A/s

V_R= 100V, V_GS= 0V

400

Note

1. Pulse test, t  300s, duty cycle, d  2%.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5 6

下载PDF

与IXTQ44N50P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTQ44P15T	IXYS	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
IXTQ44P15T	LITTELFUSE	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱	获取价格
IXTQ450P2	IXYS	Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
IXTQ450P2	LITTELFUSE	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格
IXTQ460P2	IXYS	PolarP2â¢ Power MOSFET	获取价格
IXTQ460P2	LITTELFUSE	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格