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IXTQ22N60P

更新时间： 2024-04-18 10:34:12

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	381K
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ22N60P 数据手册

IXTQ 22N60P IXTV 22N60P

IXTV 22N60PS

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Adm ittance

= -40 C

25 C

125 C

= 125

-40

4.5

0.4

5.5

6.5

7.5

12 15 18 21 24 27 30

V_{G S}- Volts

I _D- Amperes

Fig. 9. Source Current vs.

Source-To-Drain Voltage

Fig. 10. Gate Charge

= 300V

= 11A

= 10mA

T = 125

T = 25

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

V_{S D}- Volts

Q _G- nanoCoulombs

Fig. 12. Forw ard-Bias

Safe Operating Area

Fig. 11. Capacitance

100

10000

1000

100

f = 1MHz

Limit

DS(on)

iss

25µs

100µs

oss

rss

1ms

10ms

= 150ºC

= 25ºC

100

1000

V_{D S}- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

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