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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTN170P10P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN17N120L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.99ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTN17N120L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN200N10L2 | IXYS |
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Linear L2TM Power MOSFET w/ Extended FBSOA |
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| IXTN200N10L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTN200N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTN210P10T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTN21N100 | IXYS |
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High Voltage MegaMOSTMFETs |
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| IXTN22N100L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTN22N100L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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