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IXTN17N120L

更新时间： 2024-11-06 20:49:23

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTN17N120L 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTN17N120L 数据手册

Linear^TMPower MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS

I_D25

= 1200V

= 15A

IXTN17N120L

R_DS(on)< 900mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Guaranteed FBSOA

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1200

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

I_A

T_C= 25°C

8.5

2.5

E_AS

P_D

T_C= 25°C

540

T_J

-55 to +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^zDesigned for Linear Operations

^zInternational Standard Package

^zMolding Epoxies Meet UL94 V-0

Flammability Classification

^zGuaranteed FBSOA at 60ºC

^zminiBLOC with Aluminum Nitride

Isolation

-55 to +150

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA,

t = 1s

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

^zLow R_DS(on)HDMOS^TMProcess

^zRugged Polysilicon Gate Cell

Structure

^zLow Package Inductance

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1200

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

3.0

6.0

±200 nA

I_DSS

50 μA

T_J= 125°C

2 mA

Applications

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 8.5A, Note 1

900 mΩ

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

^zDC-DC Convertors

^zBattery Chargers

^zDC Choppers

^zTemperature and Lighting Controls

DS99814C(05/10)

12 3 4 5 6

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