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IXTA20N65X-TRL

更新时间： 2024-02-22 22:25:24

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	287K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA20N65X-TRL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Base Number Matches：	1

IXTA20N65X-TRL 数据手册

IXTA20N65X IXTP20N65X

IXTH20N65X

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max

g_fs

V_DS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

Gate Input Resistance

R_Gi

3.4



C_iss

C_oss

C_rss

1390

1060

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

Effective Output Capacitance

C_o(er)

C_o(tr)

Energy related

Time related

V_GS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS

232

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 5 (External)

Q_g(on)

Q_gs

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

R_thJC

R_thCS

0.39 C/W

TO-220

TO-247

0.50

0.21

C/W

Source-Drain Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max

I_S

V_GS= 0V

I_SM

V_SD

Repetitive, pulse Width Limited by T_JM

I_F= I_S, V_GS= 0V, Note 1

1.4

t_rr

Q_RM

I_RM

350

4.45

I_F= 10A, -di/dt = 100A/μs

C

V_R= 100V

Note 1. Pulse test, t  300s, duty cycle, d 2%.

PRELIMANARY TECHNICAL INFORMATION

The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are

derived from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experi-

ence, and constitute a "considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right

to change limits, test conditions, and dimensions without notice.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123B1

6,306,728B1

6,404,065B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2 6,759,692

6,710,463

6,727,585

7,005,734B2 7,157,338B2

7,063,975B2

6,771,478B2 7,071,537

123 4 5 6 7

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与IXTA20N65X-TRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA220N04T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA220N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA220N04T2-7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA220N04T2-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA220N04T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA220N055T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA220N075T7	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
IXTA230N04T4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA230N075T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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