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IXTA20N65X-TRL

更新时间： 2024-02-28 22:31:01

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	287K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA20N65X-TRL 技术参数

IXTA20N65X IXTP20N65X

IXTH20N65X

TO-247 Outline

O 0K M D B M

TO-220 Outline

TO-263 Outline

0P1

ixys option

EJECTOR

PINS: 1 - Gate

1 = Gate

2, 4 - Drain

3 - Source

C A M

2 = Drain

3 = Source

4 = Drain

Bottom Side

3X b

3X b2

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTA220N04T2	IXYS	DC to DC Synchronous Converter Design	获取价格
IXTA220N04T2	LITTELFUSE	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能	获取价格
IXTA220N04T2-7	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTA220N04T2-7	LITTELFUSE	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能	获取价格
IXTA220N04T2-TRL	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTA220N055T	IXYS	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET	获取价格