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IXFH120N30X3

更新时间： 2024-01-06 05:40:50

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6页	258K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH120N30X3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.36	Base Number Matches：	1

IXFH120N30X3 数据手册

IXFT120N30X3HV

IXFH120N30X3

Fig. 7. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig. 8. Input Admittance

180

160

140

120

100

140

120

100

= 10V

= 125 C

25 C

- 40 C

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

-50

-25

100

125

150

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

Fig. 9. Transconductance

Fig. 10. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

200

180

160

140

120

100

400

350

300

250

200

150

100

T = - 40 C

= 10V

25 C

125 C

T = 125 C

T = 25 C

100

120

140

160

180

200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

V_SD- Volts

I_D- Amperes

Fig. 12. Capacitance

Fig. 11. Gate Charge

100,000

10,000

1,000

100

= 150V

= 60A

iss

= 10mA

oss

rss

= 1 MHz

100

1,000

100

120

140

160

180

Q_G- NanoCoulombs

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6

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