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IXFH120N25T

更新时间： 2023-12-06 20:13:10

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	208K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFH120N25T 数据手册

IXFT120N25T

IXFH120N25T

Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time vs.

Junction Temperature

Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time vs.

Drain Current

R_G= 2Ω , V_GS= 10V

R_G= 2ꢀ , V_GS= 10V

V_DS= 125V

T_J= 125ºC

I _D= 120A

I _D= 60A

T_J= 25ºC

105

115

125

100

110

120

T_J- Degrees Centigrade

I_D- Amperes

Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times vs.

Gate Resistance

Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times vs.

Junction Temperature

500

450

400

350

300

250

200

150

100

120

110

100

t_r

T_J= 125ºC, V_GS= 10V

_DS= 125V

t_d(on)

- - - -

t_f

R_G= 2ꢀ, V_GS= 10V

_DS= 125V

t_d(off)- - - -

I _D= 120A

I _D= 60A, 120A

I _D= 60A

105

115

125

T_J- Degrees Centigrade

R_G- Ohms

Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times vs.

Drain Current

Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times vs.

Gate Resistance

100

500

450

400

350

300

250

200

150

100

400

360

320

280

240

200

160

120

t _f

T_J= 125ºC, V_GS= 10V

_DS= 125V

t_d(off)- - - -

t _f

R_G= 2ꢀ, V_GS= 10V

_DS= 125V

t_d(off

₎- - - -

I _D= 120A

T_J= 125ºC

I _D= 60A

T_J= 25ºC

I_D- Amperes

100

110

120

R_G- Ohms

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