IXFE180N10

更新时间： 2024-02-14 16:41:14

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
HiPerFET-TM Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFE180N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	176 A	最大漏极电流 (ID)：	176 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFE180N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFET

IXFE 180N10

V_DSS= 100 V

I_D25

= 176 A

= 8 mΩ

R_DS(on)

Single Die MOSFET

t ≤ 250 ns

Preliminary data sheet

Symbol TestConditions

ISOPLUS227^TM(IXFE)

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C

176

100

720

180

Terminal(currentlimit)

T_C= 25°C; Note 1

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

asMainorKelvinSource

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

•Conforms to SOT-227B outline

P_D

T_C= 25°C

500

•Encapsulating epoxy meets

UL 94 V-0, flammability classification

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

•Rugged polysilicon gate cell structure

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

•Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

•Low package inductance

•Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13Nm/lb.in.

Applications

Weight

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

• Switched-mode and resonant-mode

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

100

Typ.

Max.

power supplies

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V, V_GS= 0V

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

µA

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= I

Note 2

mΩ

98902 (2/02)

中文翻译

下载PDF

与IXFE180N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFE180N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFE23N100	IXYS	获取价格	Single MOSFET Die
IXFE24N100	IXYS	获取价格	Single MOSFET Die
IXFE34N100	IXYS	获取价格	HiPerFET-TM Power MOSFET
IXFE36N100	IXYS	获取价格	HiPerFET-TM Power MOSFET
IXFE39N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFE44N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFE44N50QD2	IXYS	获取价格	Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits
IXFE44N50QD3	IXYS	获取价格	Buck & Boost Configurations for PFC & Motor Control Circuits
IXFE44N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

与IXFE180N10相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

11
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFE180N10

IXFE180N10 技术参数

IXFE180N10 数据手册

与IXFE180N10相关器件

与IXFE180N10相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFE180N10

IXFE180N10 技术参数

IXFE180N10 数据手册

与IXFE180N10相关器件

与IXFE180N10相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？