IXFE180N20

更新时间： 2024-01-20 04:43:08

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFE180N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	158 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFE180N20 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFE 180N20

V_DSS= 200 V

I_D25= 158 A

R_DS(on)= 12 mΩ

< 250 ns

Single Die MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

t_rr

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Preliminary Data Sheet

ISOPLUS 227^TM(IXFE)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C, Chip capability

158

100

I_L(RMS)

Terminal current limit

G = Gate

D = Drain

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

720

100

S = Source

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

500

•Conforms to SOT-227B outline

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Ruggedpolysilicongatecellstructure

•UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

•Lowpackageinductance

•Fast intrinsic Rectifier

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

• Encapsulating epoxy meets

UL 94 V-0, flammability classification

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

•DC-DC converters

•Batterychargers

•Switched-modeandresonant-mode

power supplies

•DC choppers

•Temperatureandlightingcontrols

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

200

V_GH(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

100 µA

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I

Pulse test, t ≤ 300 µs, ^D25

duty cycle d ≤ 2 %

12 mΩ

•Easy to mount

•Space savings

•High power density

DS99040(04/03)

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