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IXFA4N60P3

更新时间： 2024-01-12 07:01:40

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	322K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFA4N60P3 技术参数

IXFY4N60P3 IXFA4N60P3

IXFP4N60P3

TO-252 Outline

TO-263 Outline

TO-220 Outline

0.43 [11.0]

EJECTOR

0

0.34 [8.7]

0.66 [16.6]

3X b

3X b2

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

0.20 [5.0]

0.10 [2.5]

0.12 [3.0]

0.06 [1.6]

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA4N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA50N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA5N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFA5N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFA5N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFA5N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA60N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA6N120P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET