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IXDR502D1B

更新时间： 2024-11-18 20:07:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		驱动接口集成电路驱动器
页数	文件大小	规格书
11页	210K
描述
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6

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IXDR502D1B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFN	包装说明：	2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.84	高边驱动器：	NO
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	S-XDSO-N6
长度：	2 mm	功能数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	标称输出峰值电流：	2 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	VSON
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压：	25 V
最小供电电压：	4.5 V	标称供电电压：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	0.035 µs
接通时间：	0.04 µs	宽度：	2 mm
Base Number Matches：	1

IXDR502D1B 数据手册

Preliminary Technical Information

IXDR502 / IXDS502

2 Ampere Single Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

General Description

Features

• Built using the advantages and compatibility

of CMOS and IXYS HDMOS^TMprocesses

• Latch-Up Protected up to 2 Amps

• High 2A Peak Output Current

• Wide Operating Range: 4.5V to 25V

• -55°C to +125°C Extended Operating

Temperature

• High Capacitive Load Drive Capability: 1000pF

in <10ns

• Matched Rise And Fall Times

• Low Propagation Delay Time

• Low Output Impedance

The IXDR502, and IXDS502 each consist of a single 2A

CMOS high speed gate driver for driving the latest IXYS

MOSFETs & IGBTs. Each type can source and sink 2

Amps of peak current while producing voltage rise and

fall times of less than 15ns. The input of each driver is

TTL or CMOS compatible and is virtually immune to

latch up. Patented* design innovations eliminate cross

conduction and current "shoot-through". Improved

speed and drive capabilities are further enhanced by

very quick & matched rise and fall times.

The IXDR502 is configured as a single inverting gate

driver, and the IXDS502 is configured as a single non-

inverting gate driver.

• Low Supply Current

The IXDR502, and IXDS502 are available in the 6-Lead

DFN (D1) package, which occupies less than 20% of

the board area of a typical 8-Pin SOIC package.

Applications

• Driving MOSFETs and IGBTs

• Motor Controls

• Line Drivers

• Pulse Generators

• Local Power ON/OFF Switch

• Switch Mode Power Supplies (SMPS)

• DC to DC Converters

• Pulse Transformer Driver

• Class D Switching Amplifiers

• Power Charge Pumps

*United States Patent 6,917,227

Ordering Information

Package

Type

Pack

Qty

Part Number

Description

Packing Style

Configuration

IXDR502D1B

2A Low Side Gate Driver I.C.

6-Lead DFN

2” x 2” Waffle Pack 121

7” Tape and Reel 2500

2” x 2” Waffle Pack 121

Single Inverting

Driver

IXDR502D1BT/R

IXDS502D1B

6-Lead DFN

Single Non-

Inverting Driver

IXDS502D1BT/R

7” Tape and Reel

2500

NOTE: All parts are lead-free and RoHS Compliant

DS99909(10/07)

First Release

12 3 4 5 6 7...11

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与IXDR502D1B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXDR502D1BT/R	IXYS	获取价格	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDS430	IXYS	获取价格	30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS430SI	IXYS	获取价格	30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS502	IXYS	获取价格	2 Ampere Single Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IXDS502D1B	IXYS	获取价格	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDS502D1BT/R	IXYS	获取价格	Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDT30N120	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXDT30N120AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-268AA
IXDT30N120D1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT with optional Diode
IXE2412	INTEL	获取价格	Interface Circuit, PBGA600, 40 X 40 MM, 1.27 MM PITCH, TBGA-600

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