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IXDS502D1B

更新时间： 2024-11-18 20:07:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 驱动接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
11页 210K
描述
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6

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IXDS502D1B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFN包装说明：2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.84高边驱动器：NO
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：S-XDSO-N6
长度：2 mm功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C标称输出峰值电流：2 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：VSON
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压：25 V
最小供电电压：4.5 V标称供电电压：15 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：0.035 µs
接通时间：0.04 µs宽度：2 mm
Base Number Matches：1

IXDS502D1B 数据手册

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Preliminary Technical Information  
IXDR502 / IXDS502  
2 Ampere Single Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers  
General Description  
Features  
• Built using the advantages and compatibility  
of CMOS and IXYS HDMOSTM processes  
• Latch-Up Protected up to 2 Amps  
• High 2A Peak Output Current  
• Wide Operating Range: 4.5V to 25V  
• -55°C to +125°C Extended Operating  
Temperature  
• High Capacitive Load Drive Capability: 1000pF  
in <10ns  
• Matched Rise And Fall Times  
• Low Propagation Delay Time  
• Low Output Impedance  
The IXDR502, and IXDS502 each consist of a single 2A  
CMOS high speed gate driver for driving the latest IXYS  
MOSFETs & IGBTs. Each type can source and sink 2  
Amps of peak current while producing voltage rise and  
fall times of less than 15ns. The input of each driver is  
TTL or CMOS compatible and is virtually immune to  
latch up. Patented* design innovations eliminate cross  
conduction and current "shoot-through". Improved  
speed and drive capabilities are further enhanced by  
very quick & matched rise and fall times.  
The IXDR502 is configured as a single inverting gate  
driver, and the IXDS502 is configured as a single non-  
inverting gate driver.  
• Low Supply Current  
The IXDR502, and IXDS502 are available in the 6-Lead  
DFN (D1) package, which occupies less than 20% of  
the board area of a typical 8-Pin SOIC package.  
Applications  
• Driving MOSFETs and IGBTs  
• Motor Controls  
• Line Drivers  
• Pulse Generators  
• Local Power ON/OFF Switch  
• Switch Mode Power Supplies (SMPS)  
• DC to DC Converters  
• Pulse Transformer Driver  
• Class D Switching Amplifiers  
• Power Charge Pumps  
*United States Patent 6,917,227  
Ordering Information  
Package  
Type  
Pack  
Qty  
Part Number  
Description  
Packing Style  
Configuration  
IXDR502D1B  
2A Low Side Gate Driver I.C.  
2A Low Side Gate Driver I.C.  
2A Low Side Gate Driver I.C.  
2A Low Side Gate Driver I.C.  
6-Lead DFN  
2” x 2” Waffle Pack 121  
7” Tape and Reel 2500  
2” x 2” Waffle Pack 121  
Single Inverting  
Driver  
IXDR502D1BT/R  
IXDS502D1B  
6-Lead DFN  
6-Lead DFN  
6-Lead DFN  
Single Non-  
Inverting Driver  
IXDS502D1BT/R  
7” Tape and Reel  
2500  
NOTE: All parts are lead-free and RoHS Compliant  
DS99909(10/07)  
Copyright © 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved  
First Release  
1234567...11

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与IXDS502D1B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXDS502D1BT/R IXYS

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 		Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-6
IXDT30N120 IXYS

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 		High Voltage IGBT with optional Diode
IXDT30N120AU1 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA
IXDT30N120D1 IXYS

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 		High Voltage IGBT with optional Diode
IXE2412 INTEL

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 		Interface Circuit, PBGA600, 40 X 40 MM, 1.27 MM PITCH, TBGA-600
IXE2412EA INTEL

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