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IXEH25N120D1 PDF预览

IXEH25N120D1

更新时间： 2024-11-18 20:02:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 80K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

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IXEH25N120D1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：36 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：750 ns
标称接通时间 (ton)：210 nsBase Number Matches：1

IXEH25N120D1 数据手册

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IXEH 25N120  
IXEH 25N120D1  
NPT3 IGBT  
IC25  
VCES  
= 36 A  
= 1200 V  
VCE(sat)typ = 2.6 V  
C
E
C
E
TO-247 AD  
G
G
G
C
E
B)  
IXEH25N120  
IXEH25N120D1  
Features  
• NPT3 IGBT  
IGBT  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
- positive temperature coefficient of  
saturation voltage for easy paralleling  
- fast switching  
- short tail current for optimized  
performance in resonant circuits  
• optional HiPerFREDTM diode  
- fast reverse recovery  
TVJ = 25°C to 150°C  
1200  
20  
V
V
VGES  
IC25  
IC90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
36  
24  
A
A
- low operating forward voltage  
- low leakage current  
• TO-247 package  
- industry standard outline  
- epoxy meets UL 94V-0  
ICM  
VCEK  
VGE = 15 V; RG = 68 Ω; TVJ = 125°C  
60  
VCES  
A
µs  
W
RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH  
tSC  
(SCSOA)  
VCE = 900V; VGE = 15 V; RG = 68 Ω; TVJ = 125°C  
non-repetitive  
10  
Ptot  
TC = 25°C  
200  
Applications  
• AC drives  
• DC drives and choppers  
• Uninteruptible power supplies (UPS)  
• switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
• inductive heating, cookers  
VCE(sat)  
IC = 25 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
2.6  
3.2  
3.2  
V
V
VGE(th)  
ICES  
IC = 0.6 mA; VGE = VCE  
4.5  
6.5  
V
VCE = VCES;VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
0.2 mA  
mA  
0.2  
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
200 nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Eon  
Eoff  
205  
105  
320  
175  
4.1  
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
Inductive load, TVJ = 125°C  
VCE = 600 V; IC = 20 A  
VGE = 15 V; RG = 68 Ω  
1.5  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600 V; VGE = 15 V; IC = 20 A  
1.2  
100  
nF  
nC  
RthJC  
0.63 K/W  
© 2005 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXEH40N120 IXYS

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 		NPT3 IGBT
IXEH40N120B2D4 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC
IXEH40N120D1 IXYS

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