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IXEH40N120B2D4

更新时间： 2024-11-18 20:06:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	60K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

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IXEH40N120B2D4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	65 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	540 ns	标称接通时间 (ton)：	220 ns
Base Number Matches：	1

IXEH40N120B2D4 数据手册

Advanced Technical Information

IXEH 40N120B2D4

I_C25

V_CES

V_CE(sat)typ= 2.4 V

= 65 A

= 1200 V

SPT IGBT

High Frequency Applications:

• induction heating

• flyback converters

• resonant-mode power supplies

TO-247 AD

C(TAB)

Features

IGBT

• SPTIGBT

Symbol

V_CES

Conditions

Maximum Ratings

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for

easy paralleling

T_VJ= 25°C to 150°C

1200

- fast switching

V_GES

- low switching losses

- short tail current for optimized

performance in resonant circuits

• HiPerFRED^TMdiode

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

- optimized for resonant flyback

converters

• TO-247 package

I_C25

I_C90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

I_CM

V_CEK

V_GE= 15 V; R_G= 27 Ω; T_VJ= 125°C

RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH

V_CES

t_SC

(SCSOA)

V_CE= 900V; V_GE= 15 V; R_G= 27 Ω; T_VJ= 125°C

non-repetitive

10 µs

P_tot

T_C= 25°C

300

- industry standard outline

- epoxy meets UL 94V-0

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min.

typ. max.

• induction heating, cookers

• flyback converters

• switched-mode and resonant-mode

power supplies

V_CE(sat)

I_C= 40 A; V_GE= 15 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

2.4

2.9

2.7

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1.5 mA; V_GE= V_CE

4.5

6.5

V_CE= V_CES;V_GE= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.2 mA

0.2

I_GES

V_CE= 0 V; V_GE

20 V

200 nA

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

E_on

E_off

140

280

260

3.2

2.9

Inductive load, T_VJ= 125°C

V_CE= 600 V; I_C= 40 A

V_GE= 15 V; R_G= 27 Ω

C_ies

Q_Gon

V_CE= 25 V; V_GE= 0 V; f = 1 MHz

V_CE= 600 V; V_GE= 15 V; I_C= 35 A

tbd

114

R_thJC

0.4 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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