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IXDT30N120 PDF预览

IXDT30N120

更新时间： 2024-02-23 10:57:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 90K
描述
High Voltage IGBT with optional Diode

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IXDT30N120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：D3PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.66
其他特性：LOW SWITCHING LOSSES外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-268AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：570 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsBase Number Matches：1

IXDT30N120 数据手册

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IXDH 30N120  
IXDH 30N120 D1  
IXDT 30N120  
VCES  
IC25  
VCE(sat) typ = 2.4 V  
= 1200 V  
= 60 A  
High Voltage IGBT  
with optional Diode  
IXDT 30N120 D1  
Short Circuit SOA Capability  
Square RBSOA  
C
C
TO-247 AD (IXDH)  
G
G
E
E
G
C
E
AB)  
IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1  
IXDT 30N120 IXDT 30N120 D1  
TO--268 AA (IXDT)  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
G
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
E
C (TAB)  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 20 kW  
G = Gate,  
C = Collector ,  
E = Emitter  
TAB = Collector  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
60  
38  
76  
A
A
A
TC = 90°C  
Features  
TC = 90°C, tp = 1 ms  
●
NPT IGBT technology  
●
●
●
●
●
low saturation voltage  
low switching losses  
RBSOA  
VGE = ±15 V, TJ = 125°C, RG = 47 W  
Clamped inductive load, L = 30 µH  
ICM = 50  
VCEK < VCES  
A
square RBSOA, no latch up  
high short circuit capability  
positive temperature coefficient for  
easy paralleling  
MOS input, voltage controlled  
optional ultra fast diode  
International standard packages  
tSC  
(SCSOA)  
VGE = ±15 V, VCE = VCES, TJ = 125°C  
RG = 47 W, non repetitive  
10  
µs  
PC  
TC = 25°C  
IGBT  
300  
135  
W
W
●
●
●
Diode  
TJ  
-55 ... +150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
Tstg  
Advantages  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
●
Space savings  
High power density  
IXDT:  
●
●
Md  
Mounting torque  
1.1/10 Nm/lb.in.  
surfacemountablehighpowerpackage  
Weight  
6
g
Typical Applications  
●
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninteruptible power supplies (UPS)  
●
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
●
●
●
Switch-mode and resonant-mode  
V(BR)CES  
VGE(th)  
ICES  
VGE = 0 V  
1200  
4.5  
V
V
power supplies  
IC = 1 mA, VCE = VGE  
VCE = VCES  
6.5  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
1.5 mA  
mA  
2.5  
2.4  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V  
IC = 30 A, VGE = 15 V  
± 500 nA  
VCE(sat)  
2.9  
V
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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与IXDT30N120相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXDT30N120AU1 ETC TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA

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IXDT30N120D1 IXYS High Voltage IGBT with optional Diode

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IXE2412 INTEL Interface Circuit, PBGA600, 40 X 40 MM, 1.27 MM PITCH, TBGA-600

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